南京中电芯谷高频器件产业技术研究院
技术服务平台
太赫兹电路功率测试系统
频率范围：MHz~500GHz，可进行功放、低噪放等芯片功率特性测试
太赫兹在片小信号测试系统
频率范围：MHz~400GHz，温度范围：-60℃~+200℃，可进行小信号S参数及直流特性测试
太赫兹基带模测试通用系统
频率范围：10MHz~67GHz,可进行模块的功率、S参数、噪声系数、相位噪声等特性测试
太赫兹冷热噪声测试系统
频率范围：75GHz~500GHz,可进行辐射计相关特性测试
工艺加工
半导体工艺加工服务平台具有完整的正面和背面加工工艺线，加工特征尺寸可以达到50nm，可进行Si、GaAs、InP、SiC、GaN、石墨烯以及碳纳米管等半导体器件的工艺流片，晶片加工尺寸覆盖不规则片、3寸晶圆片以及4寸晶圆片。
为满足工艺监控需求，工艺线配置了扫描电镜、椭偏仪、台阶仪、光学成像显微镜等工艺监控设备，可以有效保证工艺质量。
半导体加工工艺
光刻工艺
可进行自动涂胶显影/手动涂胶显影
线宽及胶型采用SEM监控测试
支持不规则片、3英寸以及4英寸晶圆
可在Si、GaAs、SiC、InP、LNOI、GaN、蓝宝石以及柔性材料等多种衬底上光刻
步进光刻工艺最小线宽0.5μm
接触式光刻工艺最小线宽1μm
接触式光刻设备配备双镜头，可实现晶圆的正面和背面图像套刻工艺
干法工艺和湿法工艺
介质生长
·拥有PECVD以及ALD介质生长系统，可生长SixNy、SiO2、Al2O3以及AIN介质
·PECVD生长温度150℃-300℃可控
·ALD设备拥有水汽、臭氧以及PE三种生长方式，最高生长温度450℃
介质刻蚀
·氯基和氟基ICP及RIE刻蚀设备
·满足SixNy、SiO2以及GaN等刻蚀需求
工艺监控
·SEM、台阶仪、椭偏仪多种监控结合
- 介质生长
·拥有PECVD以及ALD介质生长系统，可生长SixNy、SiO2、Al2O3以及AIN介质
·PECVD生长温度150℃-300℃可控
·ALD设备拥有水汽、臭氧以及PE三种生长方式，最高生长温度450℃ - 介质刻蚀
·氯基和氟基ICP及RIE刻蚀设备
·满足SixNy、SiO2以及GaN等刻蚀需求
- 工艺监控
·SEM、台阶仪、椭偏仪多种监控结合
金属化和高温工艺
电子束蒸发台
支持4寸及以下样品
––金属种类：Ti、Al、Ni、Au、Pt、Pd
片内膜厚均匀性≤3%，片间膜厚均匀性≤3%
磁控溅射
支持4寸及以下样品，具有原位反溅功能
可溅射Ti、Al、W、Au、TaN
高温工艺
方阻仪、SEM、台阶仪、FIB等多种监控
拥有快速退火设备和高温烘箱设备
快速退火设备最高处理温度1000℃
高温烘箱最高处理温度400℃
晶圆键合及转印工艺
支持6英寸及以下尺寸，具备介质、热压、共晶、胶粘等键合能力；键合精度±2μm；压力0-8000mbar，最高键合温度400℃
芯片键合工艺
支持热压、超声、共晶、胶粘等键合工艺；芯片尺寸小于2英寸，衬底尺寸小于4英寸；键合后精度±2μm，压力0-100kg，最高键合温度450℃
自动/手动微转印工艺
支持InP、GaAs、Sol等单元尺寸小于200×200μ㎡材料、器件到4英寸及以下目标衬底，精度优于1.5μm的批量化转印集成，特殊材料体系可另议
减薄划片和抛光工艺
支持4英寸及以下尺寸样品
减薄：厚度均匀性±2μm，最小厚度50μm，特殊厚度可定制
划片：最大样品6寸，切槽深度≤4mm
抛光：样品可加工到最薄10μm，特殊厚度可定制
微组装工艺
全自动楔焊键合机
焊接范围150mm×150mm×50mm
线径尺寸φ18~50μm
焊接压力5gf~150gf
共晶台
加热最高温度450℃，控温精度±3℃
吸嘴压力范围5gf~75gf
万级洁净厂房800㎡
球焊键合机
金丝线径尺寸15~100μm
平行四边悬挂结构的键合头，适合深腔大模块器件
微组装工艺
焊接范围150mm×150mm×50mm
线径尺寸φ18~50μm
焊接压力5gf~150gf
共晶台
加热最高温度450℃，控温精度±3℃
吸嘴压力范围5gf~75gf
万级洁净厂房800㎡
球焊键合机
金丝线径尺寸15~100μm
平行四边悬挂结构的键合头，适合深腔大模块器件
