南京中电芯谷高频器件产业技术研究院

技术服务平台

研究院公共技术服务平台包括半导体工艺加工、测试与分析表征以及微组装三大类公共技术服务。平台拥有半导体加工、测试以及微组装设备280台套,超过2100平方米的超净间,可以满足GaN、SiC、 InP、金刚石、石墨烯等各类半导体器件以及电路的设计、制备以及测试需求,可以满足微波毫米波半导体器件、功率开关半导体器件、微波光子器件、光电器件、量子器件及相关集成电路与模块电路等的研发以及小批量试产需求。

 

  

 

测试与分析

测试与分析表征分为直流测试、微波毫米波测试、光电测试以及微结构表征及热特性测试四部分,具有直流、微波、光电方面的测试能力以及芯片结构和热特性分析能力。

 

光电测试系统

无源光子芯片测试
耦合器、分/合束器、AWG
lL、PDL、TDL、延时、波长相关性

有源光子芯片测试
调制器、探测器、激光器
EE、EO、OE S参数

 

微波光子链路测试
SFDR、链路增益、噪声系数

集成光量子芯片测试
单光子计数
双光子符合计数

微波测试系统


研究院建立了S参数&小信号测试系统、微波功率测试系统以及噪声测试系统,测试频率由低频覆盖到500GHz,可满足小信号、功率、噪声等方面的测试需求,可按照需要搭建定制测试系统,进行相应的微波功率、噪声、频谱以及高低温特性测试。

 

光电测试系统


基于精密位移台、高分辨率显微成像组件、红外显微成像组件、光波测试系统、光电示波器、电源以及光学平台等构建了端面耦合测试系统,可进行光电器件端面耦合特性测试分析。基于通光光元器件分析仪、矢量网络分析仪、信号/频谱分析仪、信号发生器、调制器模块、电源以及光学平台构建了微波光子系统测试系统,可进行光响应带宽以及波长分辨率等微波光子器件典型特性测试分析。

微结构表征及热特性测试


研究院拥有等离子束扫描电子显微系统,可进行半导体芯片截面制备以及表面、截面几何结构测试以及结构中材料组分分析测试,满足半导体芯片结构分析以及芯片失效特性分析。三维成像显微镜可进行半导体芯片以及封装的模块电路三维形貌测试分析。热分析测试系统可进行芯片热阻、界面热阻、材料热参数等典型特性的分析表征。

 

可靠性测试

高低温试验箱
温度范围:-70℃~+150℃,温度波动<±0.25℃
高低温温热试验箱
温度范围:-70℃~+150℃,温度范围:25~98%RH(25-85) ℃
温度波动<±0.25℃,湿度偏差±3.0%RH(>75%RH)

 

器件电性能分析测试

IV/CV测试
拥有是德B1500/B1505
可开展电压、电流、电容、导通电阻、跨导以及Qg等特性测试
最大电压1500V,最大电流40A
可进行在片以及装架测试
脉冲IV测试
测试电压/电流范围:100V/1A
最小脉冲200ns

 

 

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