化合物半导体芯片

芯谷高频

大功率GaN微波/毫米波/太赫兹二极管技术开发

大功率GaN微波/毫米波/太赫兹二极管技术开发

1、该系列GaN二极管具有显著的耐功率、高速等优势，工作频率涵盖1GHz~300GHz，截止频率最高达600GHz；
2、首次发布系列大功率GaN微波毫米波太赫兹二极管器件产品，目前国内外尚无类似产品；
3、可用于船舶接收端的大功率限幅，提高抗干扰能力；用于无线输能或远距离无线充电，可大幅提高整流功率和效率，实现装置的小型化；用于太赫兹系统，可提高太赫兹固态源输出功率，实现太赫兹源小型化，为6G通信等未来应用奠定基础。

查看详情
芯谷高频

定制化GaAs/InP SBD太赫兹集成电路芯片技术开发

定制化GaAs/InP SBD太赫兹集成电路芯片技术开发

1、电路工作频段最高1.5THz；
2、适用于工作频率0.5THz以上、集成度要求高的太赫兹混频、倍频应用；
3、提供定制化薄膜型SBD集成电路设计与加工服务；
4、GaAs薄膜型SBD集成电路是目前唯一的主流技术解决方案。

查看详情
芯谷高频

GaAs太赫兹SBD管芯技术开发

GaAs太赫兹SBD管芯技术开发

1、具有结电容小、截止频率高等特点，是目前截止频率最高的电子元器件；
2、具有低寄生、高频响的优势，针对不同应用场景具有不同规格的单管、对管、等变阻、变容管芯可用于太赫兹通信、雷达、测试等技术领域中毫米波、太赫兹各频段混频、倍频、检波电路。

查看详情
芯谷高频

InGaAs太赫兹零偏SBD技术开发

InGaAs太赫兹零偏SBD技术开发

1、具有低势垒高度与高截止频率，支持零偏压毫米波、太赫兹混频、检波电路，可大大减小电路噪声，提高电路动态范围，简化系统架构，是太赫兹安检、探测等场景中零偏太赫兹检波模块核心器件。

查看详情
芯谷高频

太赫兹放大器系列芯片技术开发

太赫兹放大器系列芯片技术开发

1、太赫兹半导体固态器件及单片集成电路，频率覆盖140GHz、220GHz、300GHz、 340GHz, 产品涉及驱放、功放、低噪放，并提供太赫兹芯片解决方案，完全国产自主可控，产品可应用于太赫兹安检、无损探测、太赫兹高速通信系统等。

查看详情

注册登录