南京中电芯谷高频器件产业技术研究院
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先进集成材料制备和研发

发布日期:2023-10-31 17:20:21

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♦单晶AlN 、LiNbO3压电薄膜异质晶圆,用于SAW、BAW、XBAR等高性能射频滤波器;

♦厚膜LiNbO3、薄膜LiNbO3异质晶圆,用于低损耗光学平台;

♦AlGaAs-on-insulator,绝缘体上AlGaAs晶圆,用于光量子器件等新一代片上光源平台;

♦Miro-Cavity-SOI,内嵌微腔的绝缘体上Si晶圆,用于环栅GAA,MEMS等器件平台;

♦Si on SiC/Diamond,解决传统Si衬底功率器件散热低的瓶颈;

♦GaN on SiC,解决自支撑GaN衬底高性能器件散热低的瓶颈;

♦支持特定衬底功能薄膜材料异质晶圆定制研发。

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