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南京中电芯谷高频器件产业技术研究院
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异质异构集成技术
芯谷高频
异质集成技术开发
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1、拥有完善的表面处理、键合、转印、粘片、减薄、CMP、腐蚀等工艺技术,具有丰富的材料、器件、电路异质异构集成经验;
2、集成技术服务:为客户提供定制化集成方案设计和集成工艺开发;
3、集成芯片制造:为客户提供定制化集成器件和芯片制造;
4、异质异构集成技术通过不同材料、器件、工艺和功能的有机融合,是后摩尔时代微电子持续发展的重要途径之一。
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异质集成工艺服务
异质集成工艺服务
1、晶圆键合:提供6英寸及以下超高真空键合、表面活化键合、聚合物键合、热压键合、共晶键合等多种类晶圆及非标准片键合服务;
2、衬底减薄:提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料衬底减薄服务;
3、表面平坦化:提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料表面亚纳米级精细抛光服务。
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先进集成材料制备和研发
先进集成材料制备和研发
1、单晶AlN 、LiNbO3压电薄膜异质晶圆,用于SAW、BAW、XBAR等高性能射频滤波器;
2、厚膜LiNbO3、薄膜LiNbO3异质晶圆,用于低损耗光学平台;
3、AlGaAs-on-insulator,绝缘体上AlGaAs晶圆,用于光量子器件等新一代片上光源平台;
4、Miro-Cavity-SOI,内嵌微腔的绝缘体上Si晶圆,用于环栅GAA,MEMS等器件平台;
5、Si on SiC/Diamond,解决传统Si衬底功率器件散热低的瓶颈;
6、GaN on SiC,解决自支撑GaN衬底高性能器件散热低的瓶颈;
7、支持特定衬底功能薄膜材料异质晶圆定制研发。
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