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大功率GaN微波/毫米波/太赫兹二极管技术开发

大功率GaN微波/毫米波/太赫兹二极管技术开发

1、该系列GaN二极管具有显著的耐功率、高速等优势，工作频率涵盖1GHz~300GHz，截止频率最高达600GHz；
2、首次发布系列大功率GaN微波毫米波太赫兹二极管器件产品，目前国内外尚无类似产品；
3、可用于船舶接收端的大功率限幅，提高抗干扰能力；用于无线输能或远距离无线充电，可大幅提高整流功率和效率，实现装置的小型化；用于太赫兹系统，可提高太赫兹固态源输出功率，实现太赫兹源小型化，为6G通信等未来应用奠定基础。

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定制化GaAs/InP SBD太赫兹集成电路芯片技术开发

定制化GaAs/InP SBD太赫兹集成电路芯片技术开发

1、电路工作频段最高1.5THz；
2、适用于工作频率0.5THz以上、集成度要求高的太赫兹混频、倍频应用；
3、提供定制化薄膜型SBD集成电路设计与加工服务；
4、GaAs薄膜型SBD集成电路是目前唯一的主流技术解决方案。

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GaAs太赫兹SBD管芯技术开发

GaAs太赫兹SBD管芯技术开发

1、具有结电容小、截止频率高等特点，是目前截止频率最高的电子元器件；
2、具有低寄生、高频响的优势，针对不同应用场景具有不同规格的单管、对管、等变阻、变容管芯可用于太赫兹通信、雷达、测试等技术领域中毫米波、太赫兹各频段混频、倍频、检波电路。

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高功率密度热源

高功率密度热源

1、高功率密度热源包含热源管芯和热源集成外壳；
2、热源管芯背面采用厚金技术，可单独与任意热沉进行金锡等焊料进行集成，也满足与外壳集成后，在任意热沉进行机械集成；
3、其热源管芯和热源集成外壳的结构尺寸均可依据客户要求进行设计；
4、可用于微系统或微电子领域的热管、微流、及其新型材料的各类散热技术开发，并对其热管理技术进行定量的表征与评估；
5、可依据客户要求进行各类热源微结构及其功率密度的设计与开发。

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CVD用固态微波功率源

CVD用固态微波功率源

1、采用第三代氮化镓半导体，具有高频率一致性和稳定性, 且集成度高，尺寸小、寿命高等特性；
2、可直接与各类射频CVD设备直接集成，应用于金刚石等材料的生长；
3、可设计与研制不同工作模式的氮化镓基固态微波功率源，满足各类射频CVD设备对高可靠、高集成、高微波特性的技术需求，提升CVD设备的稳定性；
4、主要用于各类射频CVD设备，为其提供微波功率，可扩展应用为微波消毒、微波医疗等领域；
5、可依据客户要求进行各类微波功率大小和功率频率的设计与开发，相对传统微波功率源具有性能高、稳定性好的特性。

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InGaAs太赫兹零偏SBD技术开发

InGaAs太赫兹零偏SBD技术开发

1、具有低势垒高度与高截止频率，支持零偏压毫米波、太赫兹混频、检波电路，可大大减小电路噪声，提高电路动态范围，简化系统架构，是太赫兹安检、探测等场景中零偏太赫兹检波模块核心器件。

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太赫兹放大器系列芯片技术开发

太赫兹放大器系列芯片技术开发

1、太赫兹半导体固态器件及单片集成电路，频率覆盖140GHz、220GHz、300GHz、 340GHz, 产品涉及驱放、功放、低噪放，并提供太赫兹芯片解决方案，完全国产自主可控，产品可应用于太赫兹安检、无损探测、太赫兹高速通信系统等。

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光电器件及电路技术开发

光电器件及电路技术开发

1、拥有完备且先进的光电器件及电路制备工艺，能够为客户提供定制化技术开发方案和工艺加工服务；
2、光电集成芯片针对新体制微波光子雷达、光通信等发展需求，研发核心光芯片、器件与模块，支撑通信网络、物联网等应用领域的发展，满足国家发展战略需求。

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先进集成材料制备和研发

先进集成材料制备和研发

1、单晶AlN 、LiNbO3压电薄膜异质晶圆，用于SAW、BAW、XBAR等高性能射频滤波器；
2、厚膜LiNbO3、薄膜LiNbO3异质晶圆，用于低损耗光学平台；
3、AlGaAs-on-insulator，绝缘体上AlGaAs晶圆，用于光量子器件等新一代片上光源平台；
4、Miro-Cavity-SOI，内嵌微腔的绝缘体上Si晶圆，用于环栅GAA，MEMS等器件平台；
5、Si on SiC/Diamond，解决传统Si衬底功率器件散热低的瓶颈；
6、GaN on SiC，解决自支撑GaN衬底高性能器件散热低的瓶颈；
7、支持特定衬底功能薄膜材料异质晶圆定制研发。

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异质集成工艺服务

异质集成工艺服务

1、晶圆键合：提供6英寸及以下超高真空键合、表面活化键合、聚合物键合、热压键合、共晶键合等多种类晶圆及非标准片键合服务；
2、衬底减薄：提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料衬底减薄服务；
3、表面平坦化：提供Si、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、石英等材料表面亚纳米级精细抛光服务。

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异质集成技术开发

异质集成技术开发

1、拥有完善的表面处理、键合、转印、粘片、减薄、CMP、腐蚀等工艺技术，具有丰富的材料、器件、电路异质异构集成经验；
2、集成技术服务：为客户提供定制化集成方案设计和集成工艺开发；
3、集成芯片制造：为客户提供定制化集成器件和芯片制造；
4、异质异构集成技术通过不同材料、器件、工艺和功能的有机融合，是后摩尔时代微电子持续发展的重要途径之一。

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高性能宽带光电探测器技术开发

高性能宽带光电探测器技术开发

1、40GHz/70GHz/100GHz宽带光电探测器芯片，片上可集成偏置电路，可选PIN型或高饱和UTC型光电探测器；
2、40GHz光电探测器封装件，可选PIN型或高饱和UTC型。

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